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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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TPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220AB Transphorm |
4,666 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Not For New Designs | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2.6V @ 500µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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TP65H480G4JSGMOSFET 650V, 480mOhm Transphorm |
5,477 | - |
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数据手册 |
SuperGaN® | 3-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 3.6A (Tc) | 8V | 560mOhm @ 3.4A, 8V | 2.8V @ 500µA | 9 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF @ 400 V | - | 13.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 3-PQFN (5x6) |
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TPH3206LSGANFET N-CH 600V 17A PQFN Transphorm |
6,729 | - |
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数据手册 |
- | 3-PowerDFN | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2.6V @ 500µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 3-PQFN (8x8) |
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TP90H050WSGANFET N-CH 900V 34A TO247-3 Transphorm |
3,977 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | 900 V | 34A (Tc) | 10V | 63mOhm @ 22A, 10V | 4.4V @ 700µA | 17.5 nC @ 10 V | ±20V | 980 pF @ 600 V | - | 119W (Tc) | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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TPH3205WSBQAGANFET N-CH 650V 35A TO247-3 Transphorm |
7,791 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 35A (Tc) | 10V | 62mOhm @ 22A, 8V | 2.6V @ 700µA | 42 nC @ 8 V | ±18V | 2200 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-3 |
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TPH3202PSGANFET N-CH 600V 9A TO220AB Transphorm |
4,635 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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TPH3202LDGANFET N-CH 600V 9A 4PQFN Transphorm |
2,850 | - |
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数据手册 |
- | 4-PowerDFN | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-PQFN (8x8) |
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TPH3206LDGANFET N-CH 600V 17A PQFN Transphorm |
6,343 | - |
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数据手册 |
- | 4-PowerDFN | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 8V | 2.6V @ 500µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±18V | 760 pF @ 480 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-PQFN (8x8) |
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TPH3208PSGANFET N-CH 650V 20A TO220AB Transphorm |
5,167 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2.6V @ 300µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF @ 400 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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TPH3208LDGANFET N-CH 650V 20A 4PQFN Transphorm |
4,804 | - |
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数据手册 |
- | 4-PowerDFN | Tube | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 13A, 8V | 2.6V @ 300µA | 14 nC @ 8 V | ±18V | 760 pF @ 400 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-PQFN (8x8) |
