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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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GP2T080A120HSIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L SemiQ |
132 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 35A (Tc) | 20V | 100mOhm @ 20A, 20V | 4V @ 10mA | 61 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1377 pF @ 1000 V | - | 188W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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GP2T080A120USIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L SemiQ |
1,149 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 35A (Tc) | 20V | 100mOhm @ 20A, 20V | 4V @ 10mA | 58 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1377 pF @ 1000 V | - | 188W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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GCMX040B120S1-E1SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227 SemiQ |
100 | - |
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数据手册 |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 57A (Tc) | 20V | 52mOhm @ 40A, 20V | 4V @ 10mA | 121 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3185 pF @ 1000 V | - | 242W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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GCMX020B120S1-E1SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227 SemiQ |
4,394 | - |
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数据手册 |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 113A (Tc) | 20V | 28mOhm @ 50A, 20V | 4V @ 20mA | 216 nC @ 20 V | +25V, -10V | 5349 pF @ 1000 V | - | 395W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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GP2T040A120HSIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L SemiQ |
2,439 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 63A (Tc) | 20V | 52mOhm @ 40A, 20V | 4V @ 10mA | 118 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3192 pF @ 1000 V | - | 322W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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GCMX080B120S1-E1SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227 SemiQ |
1,335 | - |
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数据手册 |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 30A (Tc) | 20V | 100mOhm @ 20A, 20V | 4V @ 10mA | 58 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1336 pF @ 1000 V | - | 142W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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GCMS080B120S1-E1SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S SemiQ |
3,348 | - |
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数据手册 |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 30A (Tc) | 20V | 100mOhm @ 20A, 20V | 4V @ 10mA | 58 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1374 pF @ 1000 V | - | 142W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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GP2T040A120USIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L SemiQ |
2,024 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 63A (Tc) | 20V | 52mOhm @ 40A, 20V | 4V @ 10mA | 118 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3192 pF @ 1000 V | - | 322W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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GCMS040B120S1-E1SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S SemiQ |
3,323 | - |
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数据手册 |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 57A (Tc) | 20V | 52mOhm @ 40A, 20V | 4V @ 10mA | 124 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3110 pF @ 1000 V | - | 242W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
