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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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N3T080MP120D1200 V, 38A SIC MOSFET, TO-247 NoMIS Power |
1,005 | - |
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数据手册 |
1200 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 38A | 20V | 100mOhm @ 15A, 20V | 3V @ 15mA | 53 nC @ 20 V | +20V, -5V | 896 pF @ 800 V | - | 188W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3L |
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N3T035MP120D1200 V, 76A SIC MOSFET, TO-247 NoMIS Power |
652 | - |
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数据手册 |
1200 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 76A | 20V | 45mOhm @ 30A, 20V | 3V @ 15mA | 126 nC @ 20 V | +20V, -5V | 2204 pF @ 800 V | - | 319W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3L |
