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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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MDD2301MOSFET P-CH -20V -3.0A SOT23 NextGen Components |
210,000 | - |
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数据手册 |
MDD | SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 3A | 2.5V, 4.5V | 90mOhm @ 3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 6.6 nC @ 2.5 V | ±12V | 330 pF @ 10 V | - | 1.2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23 |
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TO252MDD4N65DSMOSFET TO-252 N 650V 4A NextGen Components |
31,014 | - |
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数据手册 |
TO-252 | - | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 4A (Tc) | 10V | 2.8Ohm @ 2A, 10V | - | 12 nC @ 10 V | ±30V | - | - | - | - | - | - | - | - |
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TO252MDD7N65DSMOSFET TO-252 N 650V 7A NextGen Components |
76,401 | - |
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数据手册 |
TO-252 | - | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 7A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 3.5A, 10V | - | 20.7 nC @ 10 V | ±30V | - | - | - | - | - | - | - | - |
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TO220FMDD4N65FMOSFET TO-220F N 650V 4A NextGen Components |
22,550 | - |
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数据手册 |
TO-220F | - | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 4A (Tc) | 10V | 2.8Ohm @ 2A, 10V | - | 12 nC @ 10 V | ±30V | - | - | - | - | - | - | - | - |
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TO220FMDD7N65FMOSFET TO-220F N 650V 7A NextGen Components |
30,905 | - |
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数据手册 |
TO-220F | - | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 7A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 3.5A, 10V | - | 20.7 nC @ 10 V | ±30V | - | - | - | - | - | - | - | - |
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TO220FMD10N65FMOSFET TO-220F N 650V 10A NextGen Components |
19,255 | - |
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数据手册 |
TO-220F | - | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 5A, 10V | - | 34.2 nC @ 10 V | ±30V | - | - | - | - | - | - | - | - |
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TO220FMD12N65FMOSFET TO-220F N 650V 12A NextGen Components |
6,750 | - |
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数据手册 |
TO-220F | - | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 12A (Tc) | 10V | 0.8Ohm @ 6A, 10V | - | 41.9 nC @ 10 V | ±30V | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NC1M120C35HTNGSIC MOSFET 1200V 35M 75A TO247- NextGen Components |
100 | - |
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数据手册 |
NC1M | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1.2 kV | 75A (Tc) | - | 50mOhm @ 33.3A, 18V | 4.5V @ 15mA | 190 nC @ 18 V | +18V, -5V | 2834 pF @ 1 kV | - | 386W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
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NC2M120C20HTNGSIC MOSFET 1200V 20M 126A TO247 NextGen Components |
100 | - |
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数据手册 |
NC2M | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1.2 kV | 126A (Tc) | - | 30mOhm @ 63A, 20V | 4.5V @ 20mA | 282 nC @ 20 V | +20V, -5V | 4615 pF @ 1 kV | - | 625W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
