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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IRFC3810BMOSFET 100V 170A DIE Infineon Technologies |
4,347 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 170A | 10V | 9mOhm @ 170A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRLC120NBMOSFET 100V 10A DIE Infineon Technologies |
6,877 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A | 10V | 180mOhm @ 10A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC140NBMOSFET 100V 33A DIE Infineon Technologies |
3,343 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 33A | 10V | 44mOhm @ 33A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRF7811AVTRPBF-1MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO Infineon Technologies |
2,086 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10.8A (Ta) | 4.5V | 14mOhm @ 15A, 4.5V | 3V @ 250µA | 26 nC @ 5 V | ±20V | 1801 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
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IRFC4905BMOSFET 55V 42A DIE Infineon Technologies |
6,402 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A | 10V | 20mOhm @ 42A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC3710DMOSFET 100V 57A DIE Infineon Technologies |
7,752 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 57A | 10V | 23mOhm @ 57A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC230NBMOSFET 200V 9.3A DIE Infineon Technologies |
9,555 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 9.3A | - | 300mOhm @ 9.3A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFCZ44VBMOSFET 60V 55A DIE Infineon Technologies |
6,518 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 55A | 10V | 16.5mOhm @ 55A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRFC260NBMOSFET 200V 50A DIE Infineon Technologies |
9,926 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 50A | 10V | 40mOhm @ 50A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
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IRF6216TRPBF-1MOSFET P-CH 150V 2.2A SOT223 Infineon Technologies |
4,078 | - |
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数据手册 |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 2.2A (Ta) | 10V | 240mOhm @ 1.3A, 10V | 5V @ 250µA | 49 nC @ 10 V | ±20V | 1280 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
