场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
CTLDM303N-M832DS BK

CTLDM303N-M832DS BK

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

6,597
CTLDM303N-M832DS BK

数据手册

- 8-TDFN Exposed Pad Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 3.6A (Ta) 40mOhm @ 1.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 13nC @ 4.5V 590pF @ 10V 1.65W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TLM832DS
CMXDM7002A BK PBFREE

CMXDM7002A BK PBFREE

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26

Central Semiconductor Corp

2,892
CMXDM7002A BK PBFREE

数据手册

- SOT-23-6 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 280mA (Ta) 2Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.592nC @ 4.5V 50pF @ 25V 350mW (Ta) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-26
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