场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
WI62195

WI62195

MOSFET 2N-CH 750V 9A 14PQFN

Wise-Integration

1,477
WI62195

数据手册

WiseGan™ 14-PowerLDFN Tray Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 750V 9A (Tj) 250mOhm @ 2A, 6V 1.75V @ 10mA 1.9nC @ 6V 53.5pF @ 400V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 14-PQFN (6x8)
WI62120

WI62120

MOSFET 650V 13A 14PQFN

Wise-Integration

6,650
WI62120

数据手册

WiseGan™ 14-PowerLDFN Tray Active GaNFET (Gallium Nitride) - - 650V 13A - 2.2V @ 10mA 2.75nC @ 6V 92.7pF @ 400V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 14-PQFN (6x8)
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