| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 特性 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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TPD3215MMOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE Transphorm |
7,312 |
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数据手册 |
- | Module | Bulk | Obsolete | GaNFET (Gallium Nitride) | 2 N-Channel (Half Bridge) | - | 600V | 70A (Tc) | 34mOhm @ 30A, 8V | - | 28nC @ 8V | 2260pF @ 100V | 470W | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | Module |