| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 特性 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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STA509AMOSFET 4N-CH 57V 3A 10SIP Sanken Electric USA Inc. |
9,380 |
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数据手册 |
- | 10-SIP | Bulk | Obsolete | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel | - | 57V | 3A (Ta) | 250mOhm @ 1A, 10V | 2.5V @ 250µA | - | 200pF @ 10V | 4W (Ta), 20W (Tc) | 150°C | - | - | Through Hole | 10-SIP |
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STA508AMOSFET 4N-CH 120V 6A 10SIP Sanken Electric USA Inc. |
3,779 |
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数据手册 |
- | 10-SIP | Bulk | Active | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel | - | 120V | 6A (Ta) | 200mOhm @ 4A, 10V | 2V @ 250µA | - | 400pF @ 10V | 4W (Ta), 20W (Tc) | 150°C | - | - | Through Hole | 10-SIP |