| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 特性 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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RMD0A8P20ES9MOSFET 2P-CH 20V 0.8A SOT363-6L Rectron USA |
18,000 |
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数据手册 |
- | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Tape & Reel (TR) | Active | MOSFET (Metal Oxide) | 2 P-Channel (Dual) | - | 20V | 800mA (Ta) | 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 0.0018C @ 4.5V | 87pF @ 10V | 800mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-363-6L |