场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
UFB15C12E1BC3N

UFB15C12E1BC3N

MOSFET 4P-CH 1200V 24A MODULE

Qorvo

8,436
UFB15C12E1BC3N

数据手册

- Module Bulk Active SiCFET (Silicon Carbide) 4 P-Channel (Full Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 24A (Tj) 90mOhm @ 15A, 12V 6V @ 10mA 46nC @ 15V 1445pF @ 800V 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
UHB50SC12E1BC3N

UHB50SC12E1BC3N

MOSFET 2P-CH 1200V 69A MODULE

Qorvo

6,527
UHB50SC12E1BC3N

数据手册

- Module Bulk Active SiCFET (Silicon Carbide) 2 P-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 69A (Tj) 24mOhm @ 50A, 12V 6V @ 20mA 85nC @ 15V 2930pF @ 800V 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
UFB25SC12E1BC3N

UFB25SC12E1BC3N

MOSFET 4P-CH 1200V 36A MODULE

Qorvo

4,658
UFB25SC12E1BC3N

数据手册

- Module Bulk Active SiCFET (Silicon Carbide) 4 P-Channel (Full Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 36A (Tj) 45mOhm @ 25A, 12V 6V @ 10mA 42.5nC @ 15V 1450pF @ 800V 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
UHB100SC12E1BC3N

UHB100SC12E1BC3N

MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE

Qorvo

2,320
UHB100SC12E1BC3N

数据手册

- Module Bulk Active SiCFET (Silicon Carbide) 2 P-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 12mOhm @ 70A, 12V 6V @ 40mA 170nC @ 15V 5859pF @ 800V 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
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