场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
GE12047BCA3

GE12047BCA3

MOSFET 2N-CH 1200V 475A

GE Aerospace

4,201
GE12047BCA3

数据手册

SiC Power Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 475A 4.4mOhm @ 475A, 20V 4.5V @ 160mA 1248nC @ 18V 29300pF @ 600V 1250W -55°C ~ 150°C (Tc) - - Chassis Mount -
GE12047CCA3

GE12047CCA3

MOSFET 2N-CH 1200V 475A MODULE

GE Aerospace

3,881
GE12047CCA3

数据手册

SiC Power Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 475A 4.4mOhm @ 475A, 20V 4.5V @ 160mA 1248nC @ 18V 29300pF @ 600V 1250W -55°C ~ 150°C (Tc) - - Chassis Mount Module
GE17042CCA3

GE17042CCA3

MOSFET 2N-CH 1700V 425A MODULE

GE Aerospace

2,364
GE17042CCA3

数据手册

SiC Power Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1700V (1.7kV) 425A (Tc) 4.45mOhm @ 425A, 20V 4.5V @ 160mA 1207nC @ 18V 29100pF @ 900V 1250W 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
GE17042BCA3

GE17042BCA3

MOSFET 2N-CH 1700V 425A MODULE

GE Aerospace

3,416
GE17042BCA3

数据手册

SiC Power Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1700V (1.7kV) 425A (Tc) 4.45mOhm @ 425A, 20V 4.5V @ 160mA 1207nC @ 18V 29100pF @ 900V 1250W 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
GE17045EEA3

GE17045EEA3

MOSFET 6N-CH 1700V 425A

GE Aerospace

6,428
GE17045EEA3

数据手册

SiC Power Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1700V (1.7kV) 425A (Tc) 4.45mOhm @ 425A, 20V 4.5V @ 160mA 1207nC @ 18V 29100pF @ 900V 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (Tc) - - Chassis Mount -
GE12050EEA3

GE12050EEA3

MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE

GE Aerospace

6,824
GE12050EEA3

数据手册

SiC Power Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 475A (Tc) 4.4mOhm @ 475A, 20V 4.5V @ 160mA 1248nC @ 18V 29300pF @ 600V 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (Tc) - - Chassis Mount Module
GE17140CEA3

GE17140CEA3

MOSFET 2N-CH 1700V 1.275KA MODUL

GE Aerospace

3,899
GE17140CEA3

数据手册

SiC Power Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1700V (1.7kV) 1.275kA - 4.5V @ 480mA 3621nC @ 18V 82nF @ 600V 3.75kW -55°C ~ 150°C (Tc) - - Chassis Mount Module
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