| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 核心类型 | 供应商设备封装 | 材质 | 直径 | 电感因子 (Al) | 容差 | 气隙 | 有效磁导率 (µe) | 初始磁导率 (µi) | 磁芯因子 (ΣI/A) mm⁻¹ | 有效长度 (le) mm | 有效面积 (Ae) mm² | 最小磁芯横截面积 (Amin) mm² | 有效磁体积 (Ve) mm³ | 表面处理 | 高度 | 长度 | 宽度 |
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AB2.8X4.5DYFERRITE CORE ROD Toshiba Semiconductor and Storage |
2,824 |
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数据手册 |
AB | Bag | Active | Rod | - | - | 0.157" (4.00mm) | - | - | Ungapped | - | - | - | - | - | - | - | Coated | 0.224" (5.70mm) | - | - |
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AB3X2X3DYFERRITE CORE ROD Toshiba Semiconductor and Storage |
8,147 |
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数据手册 |
AB | Bag | Active | Rod | - | - | 0.157" (4.00mm) | - | - | Ungapped | - | - | - | - | - | - | - | Coated | 0.165" (4.20mm) | - | - |